SSF11NS65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF11NS65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 680 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 78.06 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.41 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SSF11NS65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF11NS65 даташит

 ..1. Size:373K  silikron
 ssf11ns65.pdf pdf_icon

SSF11NS65

SSF11NS65 Main Product Characteristics VDSS 680V RDS(on) 0.36ohm(typ.) ID 11A Marking and pin TO220 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65 series MOSFETs is a new technology. which

 0.1. Size:495K  silikron
 ssf11ns65uf.pdf pdf_icon

SSF11NS65

SSF11NS65UF Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new

 0.2. Size:434K  silikron
 sssf11ns65uf.pdf pdf_icon

SSF11NS65

SSF11NS65UF Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new

 0.3. Size:379K  silikron
 ssf11ns65f.pdf pdf_icon

SSF11NS65

SSF11NS65F Main Product Characteristics VDSS 680V RDS(on) 0.36ohm(typ.) ID 11A Marking and pin TO220F Schematic diagram Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65F series MOSFETs is a new technology. wh

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF1116, SSF1116A, SSF1122, SSF1122D, SSF11NS60, SSF11NS60D, SSF11NS60F, SSF11NS60UF, IRF830, SSF11NS65F, SSF11NS65U, SSF11NS65UD, SSF11NS70UF, SSF11NS70UG, SSF1221J2, SSF12N60F, SSF12N65F