Справочник MOSFET. SSF11NS65U

 

SSF11NS65U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF11NS65U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF11NS65U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  silikron
 ssf11ns65u.pdf pdf_icon

SSF11NS65U

SSF11NS65U Main Product Characteristics: VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220 S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits: Feathers: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF11NS65U series MOSFETs is a new te

 0.1. Size:495K  silikron
 ssf11ns65uf.pdf pdf_icon

SSF11NS65U

SSF11NS65UF Main Product Characteristics: VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits: Feathers: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new

 0.2. Size:434K  silikron
 sssf11ns65uf.pdf pdf_icon

SSF11NS65U

SSF11NS65UF Main Product Characteristics: VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits: Feathers: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new

 0.3. Size:472K  silikron
 ssf11ns65ud.pdf pdf_icon

SSF11NS65U

SSF11NS65UD Main Product Characteristics: VDSS 650V RDS(on) 0.33 (typ.) ID 11A Marking and Pin TO-252 (DPAK) S che mati c Diag r am Assignment Features and Benefits: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF11NS65UD series MOSFETs is a new techno

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFH14N100 | SMK0460D | 2SK3978 | NTP2955 | 2SK2957L | PMN70XPE | LR024N

 

 
Back to Top

 


 
.