SSF11NS70UF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF11NS70UF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SSF11NS70UF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF11NS70UF даташит

 ..1. Size:453K  silikron
ssf11ns70uf.pdfpdf_icon

SSF11NS70UF

SSF11NS70UF Main Product Characteristics VDSS 700V RDS(on) 0.4 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS70UF series MOSFETs is a new

 4.1. Size:434K  silikron
ssf11ns70ug.pdfpdf_icon

SSF11NS70UF

SSF11NS70UG Main Product Characteristics VDSS 700V RDS(on) 0.39 (typ.) ID 11A Marking and Pin S che mati c Diag r am TO-251 (IPAK) Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS70UG series MOSFETs is a new technol

 7.1. Size:468K  silikron
ssf11ns60.pdfpdf_icon

SSF11NS70UF

SSF11NS60 Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 0.36 (typ.) ID 11A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220 Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS60 series MOSFETs is a new t

 7.2. Size:495K  silikron
ssf11ns65uf.pdfpdf_icon

SSF11NS70UF

SSF11NS65UF Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new

Другие IGBT... SSF11NS60, SSF11NS60D, SSF11NS60F, SSF11NS60UF, SSF11NS65, SSF11NS65F, SSF11NS65U, SSF11NS65UD, AON7403, SSF11NS70UG, SSF1221J2, SSF12N60F, SSF12N65F, SSF1341, SSF13N50, SSF13N50F, SSF1502D