SSF2116EJ3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF2116EJ3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm

Тип корпуса: DFN2X5-6L-EP

Аналог (замена) для SSF2116EJ3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF2116EJ3 даташит

 ..1. Size:347K  silikron
 ssf2116ej3.pdf pdf_icon

SSF2116EJ3

SSF2116EJ3 Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 14.5mohm typ. ID 8.5A DFN2X5-6L-EP Marking and pin Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

 8.1. Size:634K  silikron
 ssf2112h2.pdf pdf_icon

SSF2116EJ3

SSF2112H2 Main Product Characteristics D1 D2 VDSS 20V D1 D2 S1 S2 G1 G2 2112H2 8205A S1 S2 G1 G2 RDS(on) 10mohm(typ.) S1 S2 ID 8A Marking and pin Schematic diagram TSSOP-8 Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for buttery protection, load switching and general power management Ultra low on-re

 9.1. Size:280K  silikron
 ssf2145ch6.pdf pdf_icon

SSF2116EJ3

SSF2145CH6 Main Product Characteristics n-ch p-ch VDSS 20V -20V RDSon(typ.) 38mohm 64mohm Marking and pin TSOP-6 Schematic diagram ID 4.8A 2.9A Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for load switching and buttery protection applications 150 operating temperature Description It utilizes the l

 9.2. Size:545K  silikron
 ssf2129h3.pdf pdf_icon

SSF2116EJ3

SSF2129H3 Main Product Characteristics VDSS -20V D1 D2 G1 G2 RDS(on) 21m (typ.) S1 S2 ID -6.0A Marking and pin SOP-8 S che matic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF1N90D, SSF20N50UH, SSF20N60H, SSF20NS60, SSF20NS60F, SSF20NS65, SSF20NS65F, SSF2112H2, IRFP260N, SSF2122E, SSF2129H3, SSF2145CH6, SSF2160G4, SSF2300, SSF2300A, SSF2300B, SSF2301