SSF2122E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF2122E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для SSF2122E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF2122E даташит

 ..1. Size:542K  silikron
 ssf2122e.pdf pdf_icon

SSF2122E

SSF2122E Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 15.2mohm(typ.) ID 7A DFN 3x3-8L Marking and pin Schematic diagram A ss ignme nt Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

 8.1. Size:545K  silikron
 ssf2129h3.pdf pdf_icon

SSF2122E

SSF2129H3 Main Product Characteristics VDSS -20V D1 D2 G1 G2 RDS(on) 21m (typ.) S1 S2 ID -6.0A Marking and pin SOP-8 S che matic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and re

 9.1. Size:347K  silikron
 ssf2116ej3.pdf pdf_icon

SSF2122E

SSF2116EJ3 Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 14.5mohm typ. ID 8.5A DFN2X5-6L-EP Marking and pin Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

 9.2. Size:280K  silikron
 ssf2145ch6.pdf pdf_icon

SSF2122E

SSF2145CH6 Main Product Characteristics n-ch p-ch VDSS 20V -20V RDSon(typ.) 38mohm 64mohm Marking and pin TSOP-6 Schematic diagram ID 4.8A 2.9A Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for load switching and buttery protection applications 150 operating temperature Description It utilizes the l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF20N50UH, SSF20N60H, SSF20NS60, SSF20NS60F, SSF20NS65, SSF20NS65F, SSF2112H2, SSF2116EJ3, AO3400, SSF2129H3, SSF2145CH6, SSF2160G4, SSF2300, SSF2300A, SSF2300B, SSF2301, SSF2301A