SSF2145CH6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF2145CH6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8(2.9) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 58(75) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055(0.08) Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для SSF2145CH6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF2145CH6 даташит

 ..1. Size:280K  silikron
 ssf2145ch6.pdf pdf_icon

SSF2145CH6

SSF2145CH6 Main Product Characteristics n-ch p-ch VDSS 20V -20V RDSon(typ.) 38mohm 64mohm Marking and pin TSOP-6 Schematic diagram ID 4.8A 2.9A Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for load switching and buttery protection applications 150 operating temperature Description It utilizes the l

 9.1. Size:347K  silikron
 ssf2116ej3.pdf pdf_icon

SSF2145CH6

SSF2116EJ3 Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 14.5mohm typ. ID 8.5A DFN2X5-6L-EP Marking and pin Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

 9.2. Size:545K  silikron
 ssf2129h3.pdf pdf_icon

SSF2145CH6

SSF2129H3 Main Product Characteristics VDSS -20V D1 D2 G1 G2 RDS(on) 21m (typ.) S1 S2 ID -6.0A Marking and pin SOP-8 S che matic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and re

 9.3. Size:542K  silikron
 ssf2122e.pdf pdf_icon

SSF2145CH6

SSF2122E Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 15.2mohm(typ.) ID 7A DFN 3x3-8L Marking and pin Schematic diagram A ss ignme nt Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF20NS60, SSF20NS60F, SSF20NS65, SSF20NS65F, SSF2112H2, SSF2116EJ3, SSF2122E, SSF2129H3, IRF3710, SSF2160G4, SSF2300, SSF2300A, SSF2300B, SSF2301, SSF2301A, SSF2301B, SSF2302