SSF2160G4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF2160G4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SOT233

Аналог (замена) для SSF2160G4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF2160G4 даташит

 ..1. Size:621K  silikron
 ssf2160g4.pdf pdf_icon

SSF2160G4

SSF2160G4 Main Product Characteristics VDSS 20V 2160G4 2160G4 S25 RDS(on) 28mohm(typ.) ID 4.5A Marking and pin SOT23-3 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for buttery protection, load switching and general power management Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switc

 9.1. Size:347K  silikron
 ssf2116ej3.pdf pdf_icon

SSF2160G4

SSF2116EJ3 Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 14.5mohm typ. ID 8.5A DFN2X5-6L-EP Marking and pin Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

 9.2. Size:280K  silikron
 ssf2145ch6.pdf pdf_icon

SSF2160G4

SSF2145CH6 Main Product Characteristics n-ch p-ch VDSS 20V -20V RDSon(typ.) 38mohm 64mohm Marking and pin TSOP-6 Schematic diagram ID 4.8A 2.9A Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for load switching and buttery protection applications 150 operating temperature Description It utilizes the l

 9.3. Size:545K  silikron
 ssf2129h3.pdf pdf_icon

SSF2160G4

SSF2129H3 Main Product Characteristics VDSS -20V D1 D2 G1 G2 RDS(on) 21m (typ.) S1 S2 ID -6.0A Marking and pin SOP-8 S che matic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF20NS60F, SSF20NS65, SSF20NS65F, SSF2112H2, SSF2116EJ3, SSF2122E, SSF2129H3, SSF2145CH6, 10N60, SSF2300, SSF2300A, SSF2300B, SSF2301, SSF2301A, SSF2301B, SSF2302, SSF2305