SSF2312. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF2312

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для SSF2312

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF2312 даташит

 ..1. Size:281K  silikron
 ssf2312.pdf pdf_icon

SSF2312

SSF2312 D DESCRIPTION The SSF2312 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S Schematic diagram GENERAL FEATURES D VDS = 20V,ID = 4.5A 3 RDS(ON)

 8.1. Size:229K  silikron
 ssf2314.pdf pdf_icon

SSF2312

SSF2314 D DESCRIPTION The SSF2314 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G with gate voltages as low as 0.65V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S Schematic diagram GENERAL FEATURES V = 20V,I = 4.5A DS D R

 8.2. Size:200K  silikron
 ssf2316e.pdf pdf_icon

SSF2312

SSF2316E GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 7A RDS(ON)

 8.3. Size:341K  silikron
 ssf2318e.pdf pdf_icon

SSF2312

SSF2318E DESCRIPTION The SSF2318E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID =6.5A Schematic diagram RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF2300B, SSF2301, SSF2301A, SSF2301B, SSF2302, SSF2305, SSF2306, SSF2307B, 2SK3878, SSF2314, SSF2316E, SSF2318E, SSF2336, SSF2341E, SSF2356G8, SSF2418E, SSF2418EB