SSF26NS60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSF26NS60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SSF26NS60
SSF26NS60 Datasheet (PDF)
ssf26ns60.pdf

SSF26NS60 Main Product Characteristics: VDSS 600V RDS(on) 0.135(typ.) ID 20A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220 Assignment Features and Benefits: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF26NS60 series MOSFETs is a new technology, w
ssf26ns60a.pdf

SSF26NS60AMain Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 0.135(typ.) ID 20AMarking and Pin D2PAKSchematic DiagramAssignmentFeatures and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF26NS60A series MOSFETs is a new technology, which combines
ssf2627.pdf

SSF2627DDESCRIPTION The SSF2627 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It has Gbeen optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID = -5.4A RDS(ON)
ssf2637e.pdf

SSF2637E DESCRIPTION The SSF2637E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as -0.5V. GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID =-5.4A RDS(ON)
Другие MOSFET... SSF2437E , SSF2449 , SSF2485 , SSF2610E , SSF2616E , SSF2627 , SSF2637E , SSF2649 , AON7506 , SSF26NS60A , SSF2701 , SSF2810EH2 , SSF2814E , SSF2814EH2 , SSF2816E , SSF2816EB , SSF2841 .
History: WMO80P04TS | SSP1N60A | IPI26CN10N | SFG10S08PF | IRF141 | IPP041N12N3G | WMO60N02T1
History: WMO80P04TS | SSP1N60A | IPI26CN10N | SFG10S08PF | IRF141 | IPP041N12N3G | WMO60N02T1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400