Справочник MOSFET. SSF2N60D

 

SSF2N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF2N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для SSF2N60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF2N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  silikron
 ssf2n60d.pdf pdf_icon

SSF2N60D

SSF2N60D Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 3.8 (typ.) ID 2A Marking and P in S che ma ti c Diag r am TO-252 Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 0.1. Size:461K  silikron
 ssf2n60d2.pdf pdf_icon

SSF2N60D

SSF2N60D2 Main Product Characteristics: VDSS 600V RDS(on) 3.7 (typ.) ID 2A TO-252 Marking a nd pin Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 0.2. Size:923K  goodark
 ssf2n60d1.pdf pdf_icon

SSF2N60D

SSF2N60D1 600V N-Channel MOSFET Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 3.9 (typ.) ID 2A TO-252 Marking and Pin S c he mati c Diag r a m Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and re

 7.1. Size:428K  silikron
 ssf2n60.pdf pdf_icon

SSF2N60D

SSF2N60Main Product Characteristics: VDSS 600V RDS(on) 3.6ohm(typ.)ID 2ATO220Marking and pin Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 150 operating temper

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSF2701 , SSF2810EH2 , SSF2814E , SSF2814EH2 , SSF2816E , SSF2816EB , SSF2841 , SSF2N60 , 18N50 , SSF2N60D2 , SSF2N60F , SSF2N60G , SSF3002EG1 , SSF3018 , SSF3018D , SSF3028C1 , SSF3036C .

History: IPB06CN10NG | NCEP60T18A | VS5814DS | NCEP50P80 | SIA810DJ | IAUC90N10S5N062 | STN4416

 

 
Back to Top

 


 
.