SSF2N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF2N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для SSF2N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF2N60D даташит

 ..1. Size:496K  silikron
 ssf2n60d.pdf pdf_icon

SSF2N60D

SSF2N60D Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 3.8 (typ.) ID 2A Marking and P in S che ma ti c Diag r am TO-252 Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 0.1. Size:461K  silikron
 ssf2n60d2.pdf pdf_icon

SSF2N60D

SSF2N60D2 Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 3.7 (typ.) ID 2A TO-252 Marking a nd pin Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 0.2. Size:923K  goodark
 ssf2n60d1.pdf pdf_icon

SSF2N60D

SSF2N60D1 600V N-Channel MOSFET Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 3.9 (typ.) ID 2A TO-252 Marking and Pin S c he mati c Diag r a m Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and re

 7.1. Size:428K  silikron
 ssf2n60.pdf pdf_icon

SSF2N60D

SSF2N60 Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 3.6ohm(typ.) ID 2A TO220 Marking and pin Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 150 operating temper

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF2701, SSF2810EH2, SSF2814E, SSF2814EH2, SSF2816E, SSF2816EB, SSF2841, SSF2N60, BS170, SSF2N60D2, SSF2N60F, SSF2N60G, SSF3002EG1, SSF3018, SSF3018D, SSF3028C1, SSF3036C