SSF2N60G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF2N60G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SSF2N60G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF2N60G даташит

 ..1. Size:451K  silikron
 ssf2n60g.pdf pdf_icon

SSF2N60G

SSF2N60G Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 3.5 (typ.) ID 2A TO-251 Marking and p in S che ma ti c di ag ra m Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.1. Size:428K  silikron
 ssf2n60.pdf pdf_icon

SSF2N60G

SSF2N60 Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 3.6ohm(typ.) ID 2A TO220 Marking and pin Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 150 operating temper

 7.2. Size:528K  silikron
 ssf2n60f.pdf pdf_icon

SSF2N60G

SSF2N60F Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 3.6ohm(typ.) ID 2A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220F Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recove

 7.3. Size:496K  silikron
 ssf2n60d.pdf pdf_icon

SSF2N60G

SSF2N60D Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 3.8 (typ.) ID 2A Marking and P in S che ma ti c Diag r am TO-252 Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF2814EH2, SSF2816E, SSF2816EB, SSF2841, SSF2N60, SSF2N60D, SSF2N60D2, SSF2N60F, IRF1407, SSF3002EG1, SSF3018, SSF3018D, SSF3028C1, SSF3036C, SSF3051G7, SSF3055, SSF3056C