SSF4031C1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF4031C1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SSF4031C1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF4031C1 даташит

 ..1. Size:495K  silikron
 ssf4031c1.pdf pdf_icon

SSF4031C1

SSF4031C1 Main Product Characteristics V -40V DSS R (on) 24mohm(typ.) DS I -30A D TO-252 Marking and pin Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 100%Ava

 8.1. Size:257K  silikron
 ssf4032ch3.pdf pdf_icon

SSF4031C1

SSF4032CH3 Main Product Characteristics NMOS PMOS VDSS 40V -40V RDS(on) 16mohm(typ.) 25mohm(typ.) ID 6A -4.5A SOP-8 Schematic diagram Bottom View Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for buck-boost circuit, DSC, portable devices and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge 1

 9.1. Size:397K  silikron
 ssf4015.pdf pdf_icon

SSF4031C1

SSF4015 Main Product Characteristics D VDSS -40V SSF3612D SSF3612D SSF4015 SSF4035 G RDS(on) 11m (typ.) ID -40A S TO-252 (D-PAK) Marking a nd p in S che mati c di agra m Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low g

 9.2. Size:512K  silikron
 ssf4004s.pdf pdf_icon

SSF4031C1

SSF4004S Main Product Characteristics VDSS 40V RDS(on) 2.3m (typ.) ID 180A Marking and Pi n TO-220 Schematic Diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF3904A, SSF3944J7-HF, SSF3960J7-HF, SSF3N80D, SSF3N80F, SSF4004, SSF4004S, SSF4015, IRF1404, SSF4032CH3, SSF4203, SSF4414, SSF4604, SSF4606, SSF4607D, SSF4624, SSF4703