SSF4N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SSF4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF4N60 даташит

 ..1. Size:649K  silikron
 ssf4n60.pdf pdf_icon

SSF4N60

SSF4N60 Features Vdss = 600V Extremely high dv/dt capability Id = 4A Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Rdson = 2.3 (typ.) 100% avalanche tested Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances Very good manufacturing repeatability Description The SSF4N60 is a new generation of high voltage N Channel enhancement mode

 0.1. Size:510K  silikron
 ssf4n60g.pdf pdf_icon

SSF4N60

SSF4N60G Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 1.85 (typ.) ID 4A TO-251 Marking and p in S che ma ti c di ag ra m Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 0.2. Size:518K  silikron
 ssf4n60d.pdf pdf_icon

SSF4N60

SSF4N60D Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 2.0 (typ.) ID 4A TO-252 Marking and p in S che ma ti c di ag ra m Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 0.3. Size:524K  silikron
 ssf4n60f.pdf pdf_icon

SSF4N60

SSF4N60F Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 1.9 (typ.) ID 4A Marking and p in TO-220F Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF4604, SSF4606, SSF4607D, SSF4624, SSF4703, SSF4703DC, SSF47NS60H, SSF4953, P55NF06, SSF4N60D, SSF4N60F, SSF4N60G, SSF4NS60D, SSF53A0E, SSF5506, SSF5508A, SSF5508U