SSF5506. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SSF5506
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 672 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SSF5506
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSF5506 даташит
ssf5506.pdf
SSF5506 Main Product Characteristics VDSS 55V RDS(on) 3.8m (typ.) ID 140A Marking and pin TO-220 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 o
ssf5508.pdf
SSF5508 Feathers ID =110A Advanced trench process technology BV=55V Ultra low Rdson, typical 6mohm Rdson=4.5 m (typ.) High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF5508 is a new generation of middle voltage and high current N Channel enhancement mode trench power SSF5508 TOP View (TO220) MOSFET. This new tec
ssf5508u.pdf
SSF5508U Main Product Characteristics VDSS 55V RDS(on) 4.5mohm(typ.) ID 110A Marking and pin TO220 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 17
ssf5508a.pdf
SSF5508A Main Product Characteristics VDSS 55V RDS(on) 4.5mohm Typ ID 110A Features and Benefits SSF5508A TOP View (TO263) Advanced trench MOSFET process technology Special designed for convertors and power controls Ultra low on-resistance 175 operating temperature High Avalanche capability and 100% tested Description It utilizes the lat
Другие IGBT... SSF47NS60H, SSF4953, SSF4N60, SSF4N60D, SSF4N60F, SSF4N60G, SSF4NS60D, SSF53A0E, AON7408, SSF5508A, SSF5508U, SSF5N50D, SSF5N60D, SSF5N60F, SSF5N60G, SSF5NS50U, SSF5NS60UD
History: UF830G-TQ2-R
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735





