Справочник MOSFET. SSF5506

 

SSF5506 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF5506
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 672 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SSF5506

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF5506 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  silikron
ssf5506.pdfpdf_icon

SSF5506

SSF5506Main Product Characteristics: VDSS 55V RDS(on) 3.8m(typ.) ID 140AMarking and pin TO-220Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 o

 8.1. Size:307K  silikron
ssf5508.pdfpdf_icon

SSF5506

SSF5508 Feathers: ID =110A Advanced trench process technology BV=55V Ultra low Rdson, typical 6mohm Rdson=4.5 m(typ.) High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF5508 is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement mode trench power SSF5508 TOP View (TO220) MOSFET. This new tec

 8.2. Size:407K  silikron
ssf5508u.pdfpdf_icon

SSF5506

SSF5508UMain Product Characteristics: VDSS 55V RDS(on) 4.5mohm(typ.)ID 110AMarking and pin TO220Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 17

 8.3. Size:527K  silikron
ssf5508a.pdfpdf_icon

SSF5506

SSF5508A Main Product Characteristics: VDSS 55V RDS(on) 4.5mohmTypID 110A Features and Benefits: SSF5508A TOP View (TO263) Advanced trench MOSFET process technology Special designed for convertors and power controls Ultra low on-resistance 175 operating temperature High Avalanche capability and 100% tested Description: It utilizes the lat

Другие MOSFET... SSF47NS60H , SSF4953 , SSF4N60 , SSF4N60D , SSF4N60F , SSF4N60G , SSF4NS60D , SSF53A0E , 2N7000 , SSF5508A , SSF5508U , SSF5N50D , SSF5N60D , SSF5N60F , SSF5N60G , SSF5NS50U , SSF5NS60UD .

History: WM10N02M | NCEP40P80D

 

 
Back to Top

 


 
.