Справочник MOSFET. SSF5N50D

 

SSF5N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF5N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF5N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:521K  silikron
ssf5n50d.pdfpdf_icon

SSF5N50D

SSF5N50D Main Product Characteristics: VDSS 500V RDS(on) 1.5 (typ.) ID 5A TO-252 Marking a nd p in S che ma ti c di ag r a m Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 9.1. Size:209K  1
ssf5n90a.pdfpdf_icon

SSF5N50D

 9.2. Size:212K  1
ssf5n80a.pdfpdf_icon

SSF5N50D

 9.3. Size:459K  silikron
ssf5ns65ug.pdfpdf_icon

SSF5N50D

SSF5NS65UG Main Product Characteristics: VDSS 650V RDS(on) 1.1 (typ.) ID 5A TO-251 (IPAK) Marking and p in Schematic diagram Assignment Features and Benefits: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF5NS65UG series MOSFETs is a new technology,

Другие MOSFET... SSF4N60D , SSF4N60F , SSF4N60G , SSF4NS60D , SSF53A0E , SSF5506 , SSF5508A , SSF5508U , K4145 , SSF5N60D , SSF5N60F , SSF5N60G , SSF5NS50U , SSF5NS60UD , SSF5NS65G , SSF5NS65UD , SSF5NS65UF .

 

 
Back to Top

 


 
.