SSF5NS65UG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF5NS65UG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для SSF5NS65UG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF5NS65UG даташит

 ..1. Size:459K  silikron
 ssf5ns65ug.pdf pdf_icon

SSF5NS65UG

SSF5NS65UG Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 1.1 (typ.) ID 5A TO-251 (IPAK) Marking and p in Schematic diagram Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF5NS65UG series MOSFETs is a new technology,

 5.1. Size:469K  silikron
 ssf5ns65ud.pdf pdf_icon

SSF5NS65UG

SSF5NS65UD Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.74 (typ.) ID 5A TO-252 (DPAK) Marking and p in Schematic diagram Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF5NS65UD series MOSFETs is a new technology,

 5.2. Size:446K  silikron
 ssf5ns65uf.pdf pdf_icon

SSF5NS65UG

SSF5NS65UF Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.9 (typ.) ID 5A TO-220F Marking and p in Schematic diagram Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF5NS65UF series MOSFETs is a new technology, which

 6.1. Size:477K  silikron
 ssf5ns65g.pdf pdf_icon

SSF5NS65UG

SSF5NS65G Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 1.0 (typ.) ID 5A TO-251 Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF5NS65G series MOSFETs is a new te

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF5N60D, SSF5N60F, SSF5N60G, SSF5NS50U, SSF5NS60UD, SSF5NS65G, SSF5NS65UD, SSF5NS65UF, SKD502T, SSF5NS70G, SSF5NS70D, SSF5NS70F, SSF5NS70GB, SSF5NS70UF, SSF5NS70UG, SSS1004, SSS1004A7