Справочник MOSFET. SSF6072G5

 

SSF6072G5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF6072G5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для SSF6072G5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF6072G5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:498K  silikron
 ssf6072g5.pdf pdf_icon

SSF6072G5

SSF6072G5 Main Product Characteristics: VDSS 60V SSF6072G5SSF6072G560726072 RDS(on) 67m (typ.) ID 4A Marking and pin SOT-223 Schematic diagram Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for DC-DC and DC-AC converters, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate c

 9.1. Size:503K  silikron
 ssf6007.pdf pdf_icon

SSF6072G5

SSF6007 Main Product Characteristics: VDSS -50V 60076007 RDS(on) 2.1ohm(typ.) ID -130mA Marking and p in Schematic dia gram SOT-23 Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for Line current interrupter in telephone sets, Relay, high speed and line transformer drivers and general purpose applications Ultra l

 9.2. Size:259K  silikron
 ssf6014j7.pdf pdf_icon

SSF6072G5

SSF6014J7Main Product Characteristics: VDSS 60V RDS(on) 11m (typ.) ID 40APQFN 5x6Pin AssignmentSchematic DiagramFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 ope

 9.3. Size:605K  silikron
 ssf6010.pdf pdf_icon

SSF6072G5

SSF6010 Feathers: ID =75A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=8m (typ.) Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF6010 is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSF6010 , SSF6010A , SSF6014 , SSF6014A , SSF6014D , SSF6014J7 , SSF6014J8 , SSF6025 , SKD502T , SSF6092G1 , SSF6114 , SSF6401 , SSF6646 , SSF6670 , SSF6808 , SSF6808A , SSF6808D .

History: IRF8714G | SSD20N10-250D

 

 
Back to Top

 


 
.