IRC530-007 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRC530-007
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IRC530-007
IRC530-007 Datasheet (PDF)
irc530pbf.pdf
PD-96001BIRC530PbF Lead-Freewww.irf.com 12/10/05IRC530PbF2 www.irf.comIRC530PbFwww.irf.com 3IRC530PbF4 www.irf.comIRC530PbFwww.irf.com 5IRC530PbF6 www.irf.comIRC530PbFwww.irf.com 7IRC530PbF8 www.irf.comIRC530PbFHexsenseTO-220 5L Package Outline ( Dimensions are shown in millimeters (inches)Hexsense TO-220 5L Part Marking InformationEXAMPL
Другие MOSFET... IRC340 , IRC350 , IRC420 , IRC430 , IRC440 , IRC450 , IRC520 , IRC530 , EMB04N03H , IRC530-008 , IRC5305 , IRC530A , IRC531 , IRC531-007 , IRC531-008 , IRC533 , IRC533A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918