SSF7509J7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF7509J7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 352 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для SSF7509J7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF7509J7 даташит

 ..1. Size:300K  silikron
 ssf7509j7.pdf pdf_icon

SSF7509J7

SSF7509J7 Main Product Characteristics VDSS 80V RDS(on) 7.5mohm(typ.) ID 70A Marking and pin PQFN5*6 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.1. Size:482K  silikron
 ssf7509b.pdf pdf_icon

SSF7509J7

SSF7509B Main Product Characteristics VDSS 70V RDS(on) 5.3m (typ.) ID 100A Marking and Pi n TO-220 Schematic Diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.2. Size:396K  silikron
 ssf7509a.pdf pdf_icon

SSF7509J7

SSF7509A Main Product Characteristics VDSS 75V RDS(on) 6.5mohm(typ.) ID 80A Marking and pin D2PAK Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175

 7.3. Size:392K  silikron
 ssf7509.pdf pdf_icon

SSF7509J7

SSF7509 Feathers ID=80A Advanced trench process technology BV=80V Special designed for Convertors and power controls Rdson=6.5m (Typ.) High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized Avalanche voltage and current Avalanche Energy 100% test Description The SSF7509 is a new generation of middle voltage and high current N Channel enhancement

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF7504A7, SSF7504H, SSF7505, SSF7507, SSF7508, SSF7508A, SSF7509A, SSF7509B, IRF740, SSF7510, SSF7604, SSF7607, SSF7609, SSF7610, SSF7N60, SSF7N60F, SSF7N65F