SSF7N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSF7N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 145 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 78 ns
Выходная емкость (Cd): 125 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO220
SSF7N60 Datasheet (PDF)
ssf7n60.pdf
SSF7N60 Features VDSS = 600V Extremely high dv/dt capability ID = 7A Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Rdson = 0.9 (typ.) 100% avalanche tested Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances Very good manufacturing repeatability Description The SSF7N60 is a new generation of high voltage NChannel enhancement mode
ssf7n60b.pdf
November 2001SSF7N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.4A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast s
ssf7n60f.pdf
SSF7N60F Main Product Characteristics: VDSS 600V RDS(on) 0.9ohm(typ.) ID 7A Marking and p in TO220F Schematic diagram Assignment Features and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
