Справочник MOSFET. SSF8205UH2

 

SSF8205UH2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSF8205UH2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8

 Аналог (замена) для SSF8205UH2

 

 

SSF8205UH2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  silikron
 ssf8205uh2.pdf

SSF8205UH2 SSF8205UH2

SSF8205UH2Main Product Characteristics: D1D2VDSS 18V G1 G2S1 S2 RDS(on) 20mohm(typ.)ID 4.5A Marking and pin TSSOP-8 Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for buttery protection, load switching and general power management Ultra low on-resistance with low gate charge Fast swit

 6.1. Size:599K  silikron
 ssf8205u.pdf

SSF8205UH2 SSF8205UH2

SSF8205UMain Product Characteristics: D1D2VDSS 18V G1 G2S1 S2 RDS(on) 20mohm(typ.)ID 4.5A Marking and pin SOT23-6Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for buttery protection, load switching and general power management Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switc

 7.1. Size:450K  silikron
 ssf8205a.pdf

SSF8205UH2 SSF8205UH2

SSF8205A DESCRIPTION D1D2The SSF8205A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation DS(ON)with gate voltages as low as 0.65V. This device is G1 G2suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S1 S2Schematic diagram GENERAL FEATURES V = 20V,I = 6A DS DR

 7.2. Size:683K  silikron
 ssf8205.pdf

SSF8205UH2 SSF8205UH2

SSF8205 Main Product Characteristics: D1D2VDSS 20V G1 G2S1 S2 RDS(on) 20mohm(typ.) ID 4A Marking and pin SOT23-6 Sc he mati c di a gram A s si gnment Features and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for buttery protection, load switching and general power management Ultra low on-resistance with low gate charge F

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top