SSF8521. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF8521

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: DFN3X2-8L

Аналог (замена) для SSF8521

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF8521 даташит

 ..1. Size:287K  silikron
 ssf8521.pdf pdf_icon

SSF8521

SSF8521 DESCRIPTION The SSF8521 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -4.4A RDS(ON)

 9.1. Size:350K  silikron
 ssf8509.pdf pdf_icon

SSF8521

SSF8509 Main Product Characteristics VDSS 85V RDS(on) 7mohm(typ.) ID 80A Marking and pin TO220 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175

Другие IGBT... SSPL6040D, SSF80100, SSF8205, SSF8205A, SSF8205U, SSF8205UH2, SSF8421, SSF8509, IRF9540N, SSF8810, SSF8822, SSF8N60, SSF8N65, SSF8N80, SSF8N80F, SSF8N80ZH, SSF8NP60U