Справочник MOSFET. SSF8521

 

SSF8521 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF8521
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2-8L
 

 Аналог (замена) для SSF8521

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF8521 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  silikron
 ssf8521.pdf pdf_icon

SSF8521

SSF8521 DESCRIPTION The SSF8521 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -4.4A RDS(ON)

 9.1. Size:350K  silikron
 ssf8509.pdf pdf_icon

SSF8521

SSF8509Main Product Characteristics: VDSS 85V RDS(on) 7mohm(typ.)ID 80AMarking and pin TO220Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175

Другие MOSFET... SSPL6040D , SSF80100 , SSF8205 , SSF8205A , SSF8205U , SSF8205UH2 , SSF8421 , SSF8509 , IRF1010E , SSF8810 , SSF8822 , SSF8N60 , SSF8N65 , SSF8N80 , SSF8N80F , SSF8N80ZH , SSF8NP60U .

History: NCEP0114AS | STP4NB80 | VBZM13N50 | IRF460C | IRL3202PBF | TK16G60W | IPP50R350CP

 

 
Back to Top

 


 
.