Справочник MOSFET. SSF8N80F

 

SSF8N80F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSF8N80F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 121 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SSF8N80F

 

 

SSF8N80F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:526K  silikron
 ssf8n80f.pdf

SSF8N80F SSF8N80F

SSF8N80F Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 1.3 (typ.) ID 8A TO-220F Ma r k ing an d pin S che ma ti c di ag r a m Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

 7.1. Size:938K  samsung
 ssf8n80a.pdf

SSF8N80F SSF8N80F

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

 7.2. Size:562K  silikron
 ssf8n80zh.pdf

SSF8N80F SSF8N80F

SSF8N80ZFMain Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 1.1 (typ.) ID 8ATO-220FMarking and pin Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.3. Size:531K  silikron
 ssf8n80.pdf

SSF8N80F SSF8N80F

SSF8N80 Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 1.38(typ.) ID 8A TO-220 Ma r k ing an d pin S che ma ti c di ag r a m Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recover

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top