SSF8N80ZH - аналоги и даташиты транзистора

 

SSF8N80ZH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSF8N80ZH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SSF8N80ZH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF8N80ZH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  silikron
ssf8n80zh.pdfpdf_icon

SSF8N80ZH

SSF8N80ZFMain Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 1.1 (typ.) ID 8ATO-220FMarking and pin Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.1. Size:938K  samsung
ssf8n80a.pdfpdf_icon

SSF8N80ZH

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

 7.2. Size:526K  silikron
ssf8n80f.pdfpdf_icon

SSF8N80ZH

SSF8N80F Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 1.3 (typ.) ID 8A TO-220F Ma r k ing an d pin S che ma ti c di ag r a m Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

 7.3. Size:531K  silikron
ssf8n80.pdfpdf_icon

SSF8N80ZH

SSF8N80 Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 1.38(typ.) ID 8A TO-220 Ma r k ing an d pin S che ma ti c di ag r a m Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recover

Другие MOSFET... SSF8509 , SSF8521 , SSF8810 , SSF8822 , SSF8N60 , SSF8N65 , SSF8N80 , SSF8N80F , AON7410 , SSF8NP60U , SSF9435 , SSF9926 , SSF9N90ZH , SSFK3204 , SSFK3208 , SSFD3004 , SSFD3005 .

History: IRLU8113PBF | IPB015N04N6 | PSMN009-100P | STD10LN80K5 | GP28S50XN247 | AP4411GM | QM3024M6

 

 
Back to Top

 


 
.