Справочник MOSFET. SSFD3006

 

SSFD3006 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSFD3006
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Время нарастания (tr): 63 ns
   Выходная емкость (Cd): 459 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для SSFD3006

 

 

SSFD3006 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  silikron
ssfd3006.pdf

SSFD3006
SSFD3006

SSFD3006 Main Product Characteristics: VDSS 30V SSF3612DSSF3612DSSF3612DSSF3612DSSFD3006SSFD3006 RDS(on) 3.8m (typ.) ID 90A TO-252 (D-PAK)Marking and pin Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance wi

 7.1. Size:222K  silikron
ssfd3005.pdf

SSFD3006
SSFD3006

SSFD3005DDESCRIPTION The SSFD3005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =- 30V,ID =-10A RDS(ON)

 7.2. Size:293K  silikron
ssfd3004.pdf

SSFD3006
SSFD3006

SSFD3004DDESCRIPTION The SSFD3004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =55A RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top