Справочник MOSFET. SSFD3006

 

SSFD3006 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSFD3006
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 459 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для SSFD3006

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSFD3006 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  silikron
 ssfd3006.pdf pdf_icon

SSFD3006

SSFD3006 Main Product Characteristics: VDSS 30V SSF3612DSSF3612DSSF3612DSSF3612DSSFD3006SSFD3006 RDS(on) 3.8m (typ.) ID 90A TO-252 (D-PAK)Marking and pin Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance wi

 7.1. Size:222K  silikron
 ssfd3005.pdf pdf_icon

SSFD3006

SSFD3005DDESCRIPTION The SSFD3005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =- 30V,ID =-10A RDS(ON)

 7.2. Size:293K  silikron
 ssfd3004.pdf pdf_icon

SSFD3006

SSFD3004DDESCRIPTION The SSFD3004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =55A RDS(ON)

Другие MOSFET... SSF8NP60U , SSF9435 , SSF9926 , SSF9N90ZH , SSFK3204 , SSFK3208 , SSFD3004 , SSFD3005 , IRLZ44N , SSFD4004 , SSFD4024 , SSFD6035 , SSFD6046 , SSFM1022 , SSFM2506 , SSFM3008 , SSFM3008H1 .

 

 
Back to Top

 


 
.