SSFM8005. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSFM8005

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 376 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для SSFM8005

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSFM8005 даташит

 ..1. Size:364K  silikron
 ssfm8005.pdf pdf_icon

SSFM8005

SSFM8005 Main Product Characteristics VDSS 80V RDS(on) 4.5mohm ID 180A TO-220AB TO-220AB Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 operating temperature Description It

Другие IGBT... SSFD4024, SSFD6035, SSFD6046, SSFM1022, SSFM2506, SSFM3008, SSFM3008H1, SSFM3008L, 4N60, SSFN2220, SSFN2269, SSFN2316E, SSFN2569, SSFN3313, SSFN3317, SSFN6816, SSFT3904