Справочник MOSFET. SSFM8005

 

SSFM8005 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSFM8005
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 376 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 120 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для SSFM8005

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSFM8005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  silikron
ssfm8005.pdfpdf_icon

SSFM8005

SSFM8005Main Product Characteristics: VDSS 80V RDS(on) 4.5mohmID 180A TO-220ABTO-220ABFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 operating temperature Description: It

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTM21N50 | SIHF640

 

 
Back to Top

 


 
.