SSFN6816. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSFN6816

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: DFN2X5-6

Аналог (замена) для SSFN6816

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSFN6816 даташит

 ..1. Size:197K  silikron
 ssfn6816.pdf pdf_icon

SSFN6816

SSFN6816 DESCRIPTION The SSFN6816 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Schematic diagram GENERAL F

Другие IGBT... SSFM3008L, SSFM8005, SSFN2220, SSFN2269, SSFN2316E, SSFN2569, SSFN3313, SSFN3317, SI2302, SSFT3904, SSFT3904J7-HF, SSFT3904U, SSFT3906, SSFT4002, SSFT4003, SSFT4003A, SSFT4004