Справочник MOSFET. SSFN6816

 

SSFN6816 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSFN6816
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X5-6
 

 Аналог (замена) для SSFN6816

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSFN6816 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  silikron
 ssfn6816.pdf pdf_icon

SSFN6816

SSFN6816DESCRIPTION The SSFN6816 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Schematic diagram GENERAL F

Другие MOSFET... SSFM3008L , SSFM8005 , SSFN2220 , SSFN2269 , SSFN2316E , SSFN2569 , SSFN3313 , SSFN3317 , IRFZ46N , SSFT3904 , SSFT3904J7-HF , SSFT3904U , SSFT3906 , SSFT4002 , SSFT4003 , SSFT4003A , SSFT4004 .

History: AOCA24106E | ME2303-G

 

 
Back to Top

 


 
.