SSFT3904J7-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSFT3904J7-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 748 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6-8L

Аналог (замена) для SSFT3904J7-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSFT3904J7-HF даташит

 ..1. Size:521K  silikron
ssft3904j7-hf.pdfpdf_icon

SSFT3904J7-HF

SSFT3904J7-HF Main Product Characteristics VDSS 30V RDS(on) 3m (typ.) ID 120A PQFN5*6-8L Schematic diagram Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 150 operating tem

 6.1. Size:719K  silikron
ssft3904u.pdfpdf_icon

SSFT3904J7-HF

SSFT3904U Main Product Characteristics VDSS 35V SSFT3904U SSFT3904U RDS(on) 3.0mohm(typ.) ID 110A Ma r ki ng a n d pin Schema ti c di agr a m TO220 Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast sw

 6.2. Size:759K  silikron
ssft3904.pdfpdf_icon

SSFT3904J7-HF

SSFT3904 Main Product Characteristics VDSS 30V RDS(on) 2.6m (typ.) ID 110A Mar ki ng a nd p in TO220 Schema ti c di agr a m Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recove

 7.1. Size:454K  silikron
ssft3906.pdfpdf_icon

SSFT3904J7-HF

SSFT3906 Main Product Characteristics VDSS 30V SSFT3906 RDS(on) 3.2mohm(typ.) ID 90A TO220 Marking and pin Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recove

Другие IGBT... SSFN2220, SSFN2269, SSFN2316E, SSFN2569, SSFN3313, SSFN3317, SSFN6816, SSFT3904, 18N50, SSFT3904U, SSFT3906, SSFT4002, SSFT4003, SSFT4003A, SSFT4004, SSPL1010, SSPL1022