MMFTN3406 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MMFTN3406
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 80 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
Тип корпуса: TO236
MMFTN3406 Datasheet (PDF)
mmftn3406.pdf
MMFTN3406 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 1. Gate 2. Source 3. DrainTO-236 Plastic Package DrainGate SourceAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 VContinuous Drain Current ID 3.6 ADrain Current - Pulsed 1) IDM 15 APower Dissipation 1) Pd 1.4 WTherm
mmftn3019e.pdf
MMFTN3019E N-Channel Field Effect Transistor Applications Interfacing, switching Features Drain Low on-resistance Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for portable equipment Gate Drive circuits can be simple Parallel use is easy SourceOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Vo
mmftn3018w.pdf
MMFTN3018W Silicon N-Channel MOSFET DrainApplications Interfacing, switching Gate1. Gate 2. Source 3. Drain SourceSOT-323 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitDrain Source Voltage VDSS 30 VGate Source Voltage VGSS 20 VDrain Current - Continuous ID 100 mA Drain Current - Pulsed IDP 1) 400 200 mWTotal Power
mmftn3019e-ms.pdf
www.msksemi.comMMFTN3019E-MSSemiconductor CompianceAbsolute Maximum Ratings T = 25C unless otherwise notedASymbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source Voltage 30 VVGS Continuous Gate-Source Voltage 20V V3I Continuous Drain Current 100 mADP Power Dissipation 150 mWD2RJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 833 C /W1. Gate2. SourceTSTG Storage Te
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
