2SK2663. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK2663
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm
Тип корпуса: E-PACK
Аналог (замена) для 2SK2663
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK2663 даташит
2sk2663.pdf
SHINDENGEN HVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2663 Case E-pack ( F1E90HVX2 ) (Unit mm) 900V 1A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed. APPLICATION Switching power supply of AC 240V input Hi
2sk2661.pdf
2SK2661 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( MOSV) 2SK2661 Chopper Regulator, DC DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain source ON resistance RDS = 1.35 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement mode Vth = 2
2sk2662.pdf
2SK2662 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2662 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 1.35 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V (V =
2sk2660.pdf
Power F-MOS FETs 2SK758 2SK2660(Tentative) Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features 6.5 0.1 High-speed switching 5.3 0.1 4.35 0.1 High drain-source voltage (VDSS) 3.0 0.1 Applications High-speed switching 1.0 0.1 0.85 0.1 0.75 0.1 0.5 0.1 4.6 0.1 0.05 to 0.15 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 C) 1 Gate 1 2 3 2 Drain Parameter Symbol Ratin
Другие MOSFET... 2SK1356 , SD211DE , SD213DE , SD215DE , SST211 , SST213 , SST215 , 2SK3645-01MR , IRFB4227 , 2SK2077 , 2SK1488 , 2SK606 , 2SJ646 , 2SJ169 , 2SJ170 , FSA07N60A , FSN01N60A .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d










