Справочник MOSFET. L75N75

 

L75N75 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: L75N75
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для L75N75

 

 

L75N75 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:552K  lrc
l75n75.pdf

L75N75
L75N75

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L75N751/7LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L75N752/7LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L75N753/7LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L75N754/7LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L75N755/7LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L75N756/7LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L75N757/7

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top