SPI80N03S2-03 - описание и поиск аналогов

 

SPI80N03S2-03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPI80N03S2-03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 325 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для SPI80N03S2-03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPI80N03S2-03 даташит

 ..1. Size:456K  infineon
 spi80n03s2-03 spp80n03s2-03 spb80n03s2-03.pdf pdf_icon

SPI80N03S2-03

www.DataSheet4U.com SPI80N03S2-03 SPP80N03S2-03,SPB80N03S2-03 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 30 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 3.1 m Enhancement mode ID 80 A Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) P- TO262 -3-1 P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated

 7.1. Size:208K  1
 spi80n06s-08 spp80n06s-08 spb80n06s-08.pdf pdf_icon

SPI80N03S2-03

SPB80N06S-08 SPI80N06S-08, SPP80N06S-08 SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Normal Level -Enhancement mode R (SMD version) 7.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Package PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Avalanche test Repetive

 7.2. Size:419K  infineon
 spp80n06s2-08 spb80n06s2-08 spi80n06s2-08.pdf pdf_icon

SPI80N03S2-03

SPI80N06S2-08 SPP80N06S2-08,SPB80N06S2-08 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) 8 m Enhancement mode ID 80 A 175 C operating temperature P- TO262 -3-1 P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP80N06S2-08 P- TO220 -3-1 Q67060-S4283 2N0608 SPB80N06S2-08 P- TO263 -

 7.3. Size:205K  infineon
 spb80n06s-08 spi80n06s-08 spp80n06s-08 spp80n06s spb80n06s spi80n06s-08green.pdf pdf_icon

SPI80N03S2-03

SPB80N06S-08 SPI80N06S-08, SPP80N06S-08 SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Normal Level -Enhancement mode R (SMD version) 7.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Package PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Avalanche test Repetive

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FTP18N06N , FTP22N06B , FTU01N60C , L1N60 , L2N600 , L4N60 , L75N75 , LIRFZ44N , IRFP250 , SPP80N03S2-03 , SPB80N03S2-03 , STP80NF70 , CL616BA , P0160AI , P0165AI , P0170AI , P0260AD .

History: 1D5N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.