CL616BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CL616BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0069 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для CL616BA
CL616BA Datasheet (PDF)
cl616ba.pdf

CL616BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6.9m @VGS = 10V30V 50APDFN 5X 6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C50IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C31.5IDM120Pulsed Drain Cur
Другие MOSFET... L2N600 , L4N60 , L75N75 , LIRFZ44N , SPI80N03S2-03 , SPP80N03S2-03 , SPB80N03S2-03 , STP80NF70 , 10N65 , P0160AI , P0165AI , P0170AI , P0260AD , P0260AI , P0260AT , P0260ATF , P0260ATFS .
History: 2SK2875-01 | SRC60R950E | TSM9426DCS
History: 2SK2875-01 | SRC60R950E | TSM9426DCS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n