Справочник MOSFET. P0260EIS

 

P0260EIS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0260EIS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для P0260EIS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0260EIS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:730K  unikc
 p0260eis.pdf pdf_icon

P0260EIS

P0260EISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.4 @VGS = 10V600V 2A1.GATE2.DRAIN3.SOURCETO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 C1.4

 7.1. Size:806K  unikc
 p0260ei.pdf pdf_icon

P0260EIS

P0260EIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.4 @VGS = 10V600V 2ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 C1.4AIDM8Pulsed Drain Current1

 7.2. Size:167K  niko-sem
 p0260eia.pdf pdf_icon

P0260EIS

N-Channel Enhancement Mode P0260EIANIKO-SEM TO-251 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G600V 4.85 2A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 600 VGate-Source Voltage VGS 30 VTC = 25 C

 8.1. Size:780K  unikc
 p0260etf.pdf pdf_icon

P0260EIS

P0260ETFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.3 @VGS = 10V600V 2ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 C1.3AIDM8Pulsed Drain Curre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: P0460AI

 

 
Back to Top

 


 
.