P0260ETF - описание и поиск аналогов

 

P0260ETF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P0260ETF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для P0260ETF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0260ETF даташит

 ..1. Size:780K  unikc
p0260etf.pdfpdf_icon

P0260ETF

P0260ETF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.3 @VGS = 10V 600V 2A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 2 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 1.3 A IDM 8 Pulsed Drain Curre

 8.1. Size:806K  unikc
p0260ei.pdfpdf_icon

P0260ETF

P0260EI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.4 @VGS = 10V 600V 2A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 2 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 1.4 A IDM 8 Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:771K  unikc
p0260ed.pdfpdf_icon

P0260ETF

P0260ED N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.4 @VGS = 10V 600V 2A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 2 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 1.4 A IDM 8 Pulsed Drain Current1

 8.3. Size:730K  unikc
p0260eis.pdfpdf_icon

P0260ETF

P0260EIS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.4 @VGS = 10V 600V 2A 1.GATE 2.DRAIN 3.SOURCE TO-251(IS) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 2 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 1.4

Другие MOSFET... P0260AD , P0260AI , P0260AT , P0260ATF , P0260ATFS , P0260ED , P0260EI , P0260EIS , P60NF06 , P0270ATF , P0270ATFS , P0303BD , P0303BKA , P0303BV , P0320AL , P0403BD , P0403BDA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.