P0260ETF - аналоги и даташиты транзистора

 

P0260ETF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P0260ETF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для P0260ETF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0260ETF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:780K  unikc
 p0260etf.pdf pdf_icon

P0260ETF

P0260ETFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.3 @VGS = 10V600V 2ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 C1.3AIDM8Pulsed Drain Curre

 8.1. Size:806K  unikc
 p0260ei.pdf pdf_icon

P0260ETF

P0260EIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.4 @VGS = 10V600V 2ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 C1.4AIDM8Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:771K  unikc
 p0260ed.pdf pdf_icon

P0260ETF

P0260EDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.4 @VGS = 10V600V 2ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 C1.4AIDM8Pulsed Drain Current1

 8.3. Size:730K  unikc
 p0260eis.pdf pdf_icon

P0260ETF

P0260EISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.4 @VGS = 10V600V 2A1.GATE2.DRAIN3.SOURCETO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 C1.4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0260AD , P0260AI , P0260AT , P0260ATF , P0260ATFS , P0260ED , P0260EI , P0260EIS , P60NF06 , P0270ATF , P0270ATFS , P0303BD , P0303BKA , P0303BV , P0320AL , P0403BD , P0403BDA .

History: FQD5N20L | FQD6N50C

 

 
Back to Top

 


 
.