Справочник MOSFET. P0460ETF

 

P0460ETF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0460ETF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для P0460ETF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0460ETF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:470K  unikc
 p0460etf.pdf pdf_icon

P0460ETF

P0460ETFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4ATO-220F 100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20

 8.1. Size:809K  unikc
 p0460ed.pdf pdf_icon

P0460ETF

P0460EDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20Pulsed Drain Current

 8.2. Size:445K  unikc
 p0460eis.pdf pdf_icon

P0460ETF

P0460EISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4A1.GATE2.DRAIN3.SOURCETO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5

 8.3. Size:794K  unikc
 p0460ei.pdf pdf_icon

P0460ETF

P0460EIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20Pulsed Drain Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0460AT , P0460ATF , P0460BTF , P0460BTFS , P0460CTF-P , P0460ED , P0460EI , P0460EIS , IRFP250N , P0465AD , P0465ATF , P0465ATFS , P0465CD , P0465CI , P0465CIS , P0465CS , P0465CT .

History: AP4455GEH-HF | MRF166W | PA567JA | LNH4N80

 

 
Back to Top

 


 
.