P0460ETF - описание и поиск аналогов

 

P0460ETF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P0460ETF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для P0460ETF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0460ETF даташит

 ..1. Size:470K  unikc
 p0460etf.pdf pdf_icon

P0460ETF

P0460ETF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.3 @VGS = 10V 600V 4A TO-220F 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 4 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 2.5 A IDM 20

 8.1. Size:809K  unikc
 p0460ed.pdf pdf_icon

P0460ETF

P0460ED N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.3 @VGS = 10V 600V 4A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 4 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 2.5 A IDM 20 Pulsed Drain Current

 8.2. Size:445K  unikc
 p0460eis.pdf pdf_icon

P0460ETF

P0460EIS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.3 @VGS = 10V 600V 4A 1.GATE 2.DRAIN 3.SOURCE TO-251(IS) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 4 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 2.5

 8.3. Size:794K  unikc
 p0460ei.pdf pdf_icon

P0460ETF

P0460EI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.3 @VGS = 10V 600V 4A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 4 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 2.5 A IDM 20 Pulsed Drain Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0460AT , P0460ATF , P0460BTF , P0460BTFS , P0460CTF-P , P0460ED , P0460EI , P0460EIS , IRFB4115 , P0465AD , P0465ATF , P0465ATFS , P0465CD , P0465CI , P0465CIS , P0465CS , P0465CT .

History: BUK6208-40C | TPCA8015-H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.