Справочник MOSFET. P0465ATF

 

P0465ATF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0465ATF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для P0465ATF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0465ATF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:515K  unikc
 p0465atf-s.pdf pdf_icon

P0465ATF

P0465ATF / P0465ATFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.5 @VGS = 10V650V 4ATO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 AC2.2IDM

 8.1. Size:544K  unikc
 p0465ad.pdf pdf_icon

P0465ATF

P0465ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.5 @VGS = 10V650V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5 AIDM7Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:422K  unikc
 p0465cd.pdf pdf_icon

P0465ATF

P0465CDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6 @VGS = 10V650V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C4IDContinuous Drain Current2TC= 100 C2.5AIDM15Pulsed Drain Current1

 9.2. Size:428K  unikc
 p0465cs.pdf pdf_icon

P0465ATF

P0465CSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6m @VGS = 10V650V 4ATO-263ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C4IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C2.5AIDM15Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0460BTF , P0460BTFS , P0460CTF-P , P0460ED , P0460EI , P0460EIS , P0460ETF , P0465AD , IRFB4115 , P0465ATFS , P0465CD , P0465CI , P0465CIS , P0465CS , P0465CT , P0465CTF , P0465CTFS .

History: SWP078R08E8T | IXTP64N10L2 | FDMC8010ET30 | PMZB290UNE2 | SFF140J | SIB404DK | VBZE12N03

 

 
Back to Top

 


 
.