P0465CIS - описание и поиск аналогов

 

P0465CIS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P0465CIS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO251IS

Аналог (замена) для P0465CIS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0465CIS даташит

 ..1. Size:731K  unikc
 p0465cis.pdf pdf_icon

P0465CIS

P0465CIS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.6 @VGS = 10V 650V 4A TO-251(IS) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 650 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC= 25 C 4 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 2.5 A IDM 15 Pulsed Drain Cur

 7.1. Size:474K  unikc
 p0465ci.pdf pdf_icon

P0465CIS

P0465CI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.6 @VGS = 10V 650V 4A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 650 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC= 25 C 4 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 2.5 A IDM 15 Pulsed Drain Current1

 8.1. Size:422K  unikc
 p0465cd.pdf pdf_icon

P0465CIS

P0465CD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.6 @VGS = 10V 650V 4A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 650 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC= 25 C 4 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 2.5 A IDM 15 Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:428K  unikc
 p0465cs.pdf pdf_icon

P0465CIS

P0465CS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.6m @VGS = 10V 650V 4A TO-263 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 650 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC= 25 C 4 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 2.5 A IDM 15 Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0460EI , P0460EIS , P0460ETF , P0465AD , P0465ATF , P0465ATFS , P0465CD , P0465CI , IRF630 , P0465CS , P0465CT , P0465CTF , P0465CTFS , P0470ATF , P0470ATFS , P0502CEA , P0510AT .

History: FDV305N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.