P0465CS - аналоги и даташиты транзистора

 

P0465CS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P0465CS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для P0465CS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0465CS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  unikc
 p0465cs.pdf pdf_icon

P0465CS

P0465CSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6m @VGS = 10V650V 4ATO-263ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C4IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C2.5AIDM15Pulsed Drain Current1

 8.1. Size:422K  unikc
 p0465cd.pdf pdf_icon

P0465CS

P0465CDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6 @VGS = 10V650V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C4IDContinuous Drain Current2TC= 100 C2.5AIDM15Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:434K  unikc
 p0465ct.pdf pdf_icon

P0465CS

P0465CTN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6m @VGS = 10V650V 4ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C4IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C2.5AIDM15Pulsed Drain Current1

 8.3. Size:789K  unikc
 p0465ctf-s.pdf pdf_icon

P0465CS

P0465CTF/P0465CTFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.7 @VGS = 10V650V 4A100% UIS testedTO-220FTO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 650VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0460EIS , P0460ETF , P0465AD , P0465ATF , P0465ATFS , P0465CD , P0465CI , P0465CIS , K3569 , P0465CT , P0465CTF , P0465CTFS , P0470ATF , P0470ATFS , P0502CEA , P0510AT , P0550AD .

History: HUF76013P3 | AM7940N | IPB027N10N5

 

 
Back to Top

 


 
.