Справочник MOSFET. P0502CEA

 

P0502CEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0502CEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P0502CEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  unikc
 p0502cea.pdf pdf_icon

P0502CEA

P0502CEAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID5m @VGS = 4.5V20V 70APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 8 TC = 25 C70 TC = 100 C44IDContinuous Drain Current1,2 TA = 25 C17A TA

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APQ1HSN60AA | SIHG47N60S | GC11N70F | 9N95 | HMS15N65D | BUK9Y15-60E | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.