Справочник MOSFET. P0550BT

 

P0550BT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0550BT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для P0550BT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0550BT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  unikc
 p0550bt.pdf pdf_icon

P0550BT

P0550BTN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 1.75 @VGS = 10V 4.5ATO-220100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4.5IDContinuous Drain Current2TC = 100 C3AIDM15P

 8.1. Size:430K  unikc
 p0550bd.pdf pdf_icon

P0550BT

P0550BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 1.75 @VGS = 10V 4.5ATO-252100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4.5IDContinuous Drain Current2TC = 100 AC3IDM15Pu

 9.1. Size:607K  supertex
 vp0550.pdf pdf_icon

P0550BT

Supertex inc. VP0550P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeaturesGeneral Description Free from secondary breakdownThe Supertex VP0550 is an enhancement-mode (normally- Low power drive requirement off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Ease of parallelingThis combination produ

 9.2. Size:538K  unikc
 p0550ad.pdf pdf_icon

P0550BT

P0550ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 1.5 @VGS = 10V 5ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS500VGate-Source Voltage VGS30TC = 25 C5IDContinuous Drain Current2TC = 100 C3AIDM15Pulsed Drain Current1 ,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0470ATF , P0470ATFS , P0502CEA , P0510AT , P0550AD , P0550AT , P0550ATF , P0550BD , AON7410 , P0550ED , P0550EI , P0550ETF , P0550ETFS , P057AAT , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB .

History: UT2316G-AE2-R | 2SJ48 | HGD077N10SL | MPSA65M1K6 | SQ2308CES | BLM05N03-D | AP80SL400AI

 

 
Back to Top

 


 
.