PD636BA - описание и поиск аналогов

 

PD636BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PD636BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для PD636BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD636BA даташит

 ..1. Size:474K  unikc
 pd636ba.pdf pdf_icon

PD636BA

PD636BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 10V 30V 48A 100% RG Test 100% UIL Test TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C 48 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 30.5 A I

 ..2. Size:302K  niko-sem
 pd636ba.pdf pdf_icon

PD636BA

PD636BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 30V 9m 48A 2. DRAIN 3. SOURCE S 100% RG Test , 100% UIL Test ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source

Другие MOSFET... P0550ETFS , P057AAT , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , PD632BA , NCEP15T14 , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , PD516BA .

History: IXFH30N60Q

 

 

 

 

↑ Back to Top
.