Справочник MOSFET. PD636BA

 

PD636BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD636BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PD636BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD636BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  unikc
 pd636ba.pdf pdf_icon

PD636BA

PD636BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 48A100% RG Test100% UIL TestTO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C48IDContinuous Drain Current2TC= 100 C30.5AI

 ..2. Size:302K  niko-sem
 pd636ba.pdf pdf_icon

PD636BA

PD636BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G30V 9m 48A 2. DRAIN 3. SOURCE S100% RG Test , 100% UIL Test ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source

Другие MOSFET... P0550ETFS , P057AAT , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , PD632BA , IRFP450 , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , PD516BA .

History: SSM4500GM | AON7532E | DH60N06 | HSS3400A

 

 
Back to Top

 


 
.