PD636BA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PD636BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 48 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16.5 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 143 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO252
PD636BA Datasheet (PDF)
..1. Size:474K unikc
pd636ba.pdf
pd636ba.pdf
PD636BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 48A100% RG Test100% UIL TestTO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C48IDContinuous Drain Current2TC= 100 C30.5AI
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
