Справочник MOSFET. PD648BA

 

PD648BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD648BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PD648BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD648BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:438K  unikc
 pd648ba.pdf pdf_icon

PD648BA

PD648BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3.9m @VGS = 10V30V 94ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C94IDContinuous Drain Current2TC = 100 C59AIDM170Pulsed Drain Curre

 ..2. Size:204K  niko-sem
 pd648ba.pdf pdf_icon

PD648BA

PD648BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G30V 3.9m 94A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

Другие MOSFET... P057AAT , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , IRFP250 , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA .

 

 
Back to Top

 


 
.