PD648BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PD648BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для PD648BA
PD648BA Datasheet (PDF)
pd648ba.pdf

PD648BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3.9m @VGS = 10V30V 94ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C94IDContinuous Drain Current2TC = 100 C59AIDM170Pulsed Drain Curre
pd648ba.pdf

PD648BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G30V 3.9m 94A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25
Другие MOSFET... P057AAT , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , IRFP250 , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA .
History: SPC1018 | AM7151P | BTS244Z | BSZ150N10LS3G | STL42P4LLF6 | FDU2572
History: SPC1018 | AM7151P | BTS244Z | BSZ150N10LS3G | STL42P4LLF6 | FDU2572



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828