PD696BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PD696BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 206 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для PD696BA
PD696BA Datasheet (PDF)
pd696ba.pdf

PD696BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = 10V30V 66ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C66IDContinuous Drain Current2TC= 100 C41AIDM150Pulsed Drain Current1
Другие MOSFET... PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , 18N50 , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA .
History: AUIRFS4410Z | STB4NK60ZT4 | STB45NF06T4
History: AUIRFS4410Z | STB4NK60ZT4 | STB45NF06T4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125