PD485BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PD485BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 308 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO252
PD485BA Datasheet (PDF)
pd485ba.pdf

PD485BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID15m @VGS = 10V-40V -43ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C-43IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-27AIDM-100Pulsed Drain C
Другие MOSFET... PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , IRFZ24N , PD504BA , PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet