PD516BA - описание и поиск аналогов

 

PD516BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PD516BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для PD516BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD516BA даташит

 ..1. Size:492K  unikc
 pd516ba.pdf pdf_icon

PD516BA

PD516BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7.5m @VGS = 10V 30V 55A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 55 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 35 A IDM 150 Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET... PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , IRFP250 , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT .

History: AOK40N30 | SUM85N15-19

 

 

 

 

↑ Back to Top
.