PD516BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PD516BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для PD516BA
PD516BA Datasheet (PDF)
pd516ba.pdf

PD516BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID7.5m @VGS = 10V30V 55ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C55IDContinuous Drain Current2TC= 100 C35AIDM150Pulsed Drain Current1
Другие MOSFET... PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , IRFP250 , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet