Справочник MOSFET. PD516BA

 

PD516BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD516BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PD516BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD516BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:492K  unikc
 pd516ba.pdf pdf_icon

PD516BA

PD516BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID7.5m @VGS = 10V30V 55ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C55IDContinuous Drain Current2TC= 100 C35AIDM150Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET... PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , STF13NM60N , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT .

History: VBFB1410 | 2SK2101-01MR | BSC123N08NS3G | CEP84A4 | IRFP9133 | RHP030N03T100 | AM5931P

 

 
Back to Top

 


 
.