P082ABD8 - описание и поиск аналогов

 

P082ABD8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P082ABD8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для P082ABD8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P082ABD8 даташит

 ..1. Size:540K  unikc
 p082abd8.pdf pdf_icon

P082ABD8

P082ABD8 N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 8m @VGS = 10V 25V 52A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C 52 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 33 A IDM 130 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 23 EAS

Другие MOSFET... PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG , STF13NM60N , P0850AT , P0850ATF , P085AATX , P0903BD , P0903BDA , P0903BDB , P0903BDG , P0903BDL .

History: SUP50N10-21P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.