P082ABD8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: P082ABD8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для P082ABD8
P082ABD8 Datasheet (PDF)
p082abd8.pdf

P082ABD8N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8m @VGS = 10V25V 52ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C52IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C33AIDM130Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 23EAS
Другие MOSFET... PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG , IRFZ24N , P0850AT , P0850ATF , P085AATX , P0903BD , P0903BDA , P0903BDB , P0903BDG , P0903BDL .
History: HRS140N06K | JCS740CC | P2610AI
History: HRS140N06K | JCS740CC | P2610AI



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550