Справочник MOSFET. P082ABD8

 

P082ABD8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P082ABD8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P082ABD8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P082ABD8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:540K  unikc
 p082abd8.pdf pdf_icon

P082ABD8

P082ABD8N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8m @VGS = 10V25V 52ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C52IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C33AIDM130Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 23EAS

Другие MOSFET... PD548BA , PD570BA , PD612BA , PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG , IRF2807 , P0850AT , P0850ATF , P085AATX , P0903BD , P0903BDA , P0903BDB , P0903BDG , P0903BDL .

History: IXFT70N20Q3 | AOK53S60

 

 
Back to Top

 


 
.