Справочник MOSFET. P085AATX

 

P085AATX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P085AATX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для P085AATX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P085AATX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:459K  unikc
 p085aatx.pdf pdf_icon

P085AATX

P085AATXN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID7.5m @VGS = 10V55V 110ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C110IDContinuous Drain Current1TC = 100 C69AIDM300Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 1

Другие MOSFET... PD628BA , P0806AT , P0806ATF , P0806ATX , P0808ATG , P082ABD8 , P0850AT , P0850ATF , K2611 , P0903BD , P0903BDA , P0903BDB , P0903BDG , P0903BDL , P0603BD , P0603BDB , P0603BDD .

History: IRF1010NSPBF

 

 
Back to Top

 


 
.