P085AATX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P085AATX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 166 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 92 nC
Время нарастания (tr): 110 ns
Выходная емкость (Cd): 1170 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO220
P085AATX Datasheet (PDF)
..1. Size:459K unikc
p085aatx.pdf
p085aatx.pdf
P085AATXN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID7.5m @VGS = 10V55V 110ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C110IDContinuous Drain Current1TC = 100 C69AIDM300Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 1
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
