P0903BDB - описание и поиск аналогов

 

P0903BDB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P0903BDB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для P0903BDB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0903BDB даташит

 ..1. Size:465K  unikc
 p0903bdb.pdf pdf_icon

P0903BDB

P0903BDB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 10V 30V 59A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 59 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 37 A IDM 150 Pulsed Drain Current1

 7.1. Size:455K  unikc
 p0903bdl.pdf pdf_icon

P0903BDB

P0903BDL N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 25V 9.5m @VGS = 10V 56A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 25 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 56 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 35 A IDM 160 Pulsed Drain Current

 7.2. Size:493K  unikc
 p0903bda.pdf pdf_icon

P0903BDB

P0903BDA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 10V 30V 56A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 56 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 35 A IDM 160 Pulsed Drain Current1

 7.3. Size:521K  unikc
 p0903bd.pdf pdf_icon

P0903BDB

P0903BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 10V 30V 57A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 57 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 36 A IDM 160 Pulsed Drain Current1 I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0806ATX , P0808ATG , P082ABD8 , P0850AT , P0850ATF , P085AATX , P0903BD , P0903BDA , AO3400A , P0903BDG , P0903BDL , P0603BD , P0603BDB , P0603BDD , P0603BDF , P0603BDG , P0603BDL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.