P0603BDD - описание и поиск аналогов

 

P0603BDD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P0603BDD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 274 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для P0603BDD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0603BDD даташит

 ..1. Size:479K  unikc
 p0603bdd.pdf pdf_icon

P0603BDD

P0603BDD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 5.8m @VGS = 10V 30V 71A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C 71 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 45 A IDM 180 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 41 E

 7.1. Size:450K  unikc
 p0603bd.pdf pdf_icon

P0603BDD

P0603BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 5.8m @VGS = 10V 70A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 70 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 44 A IDM 180 Pulsed Drain Current1

 7.2. Size:479K  unikc
 p0603bdb.pdf pdf_icon

P0603BDD

P0603BDB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 5.8m @VGS = 10V 30V 72A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C 72 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 46 A IDM 160 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 50 E

 7.3. Size:662K  unikc
 p0603bdg.pdf pdf_icon

P0603BDD

P0603BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6.5m @VGS = 10V 30V 68A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 68 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 43 A IDM 180 Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P085AATX , P0903BD , P0903BDA , P0903BDB , P0903BDG , P0903BDL , P0603BD , P0603BDB , IRFZ48N , P0603BDF , P0603BDG , P0603BDL , P0603BEAD , P0603BK , P0603BT , P0603BV , P0604BD .

History: FKG1020

 

 

 

 

↑ Back to Top
.